台积电3nm天玑芯片成功流片,预计明年量产

联发科与台积电今日共同宣布，联发科首款采用台积电3nm制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利，日前已成功流片，预计将在明年量产。

台积电公司的3nm制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持，还拥有更强化的性能、功耗以及良率。相较于5nm制程，台积电3nm制程技术的逻辑密度增加约60%，在相同功耗下速度提升18%，或者在相同速度下功耗降低32%。

联发科表示，其首款采用台积电3nm制程的天玑旗舰芯片将于2024年下半年上市。

目前业界各大芯片厂商都在攻关3nm制程，包括苹果iPhone有望率先拿下台积电3nm产能，我们可以期待在今年最新的A17芯片中见到。此外，高通的3nm芯片目前还没有准确消息，预计会和联发科再次展开竞争。