英特尔PowerVia技术率先实现芯片背面供电

英特尔率先在产品级芯片上实现背面供电技术，使单元利用率超过90%，同时也在其它维度展现了业界领先的性能。

英特尔宣布在业内率先在产品级测试芯片上实现背面供电（backside power delivery）技术，满足迈向下一个计算时代的性能需求。作为英特尔业界领先的背面供电解决方案，PowerVia将于2024年上半年在Intel 20A制程节点上推出。通过将电源线移至晶圆背面，PowerVia解决了芯片单位面积微缩中日益严重的互连瓶颈问题。

英特尔技术开发副总裁Ben Sell表示：“英特尔正在积极推进‘四年五个制程节点’计划，并致力于在2030年实现在单个封装中集成一万亿个晶体管，PowerVia对这两大目标而言都是重要里程碑。通过采用已试验性生产的制程节点及其测试芯片，英特尔降低了将背面供电用于先进制程节点的风险，使得我们能领先竞争对手一个制程节点，将背面供电技术推向市场。”

英特尔将PowerVia技术和晶体管的研发分开进行，以确保PowerVia可以被妥善地用于Intel 20A和Intel 18A制程芯片的生产中。在与同样将与Intel 20A制程节点一同推出的RibbonFET晶体管集成之前，PowerVia在其内部测试节点上进行了测试，以不断调试并确保其功能良好。经在测试芯片上采用并测试PowerVia，英特尔证实了这项技术确实能显著提高芯片的使用效率，单元利用率（cell utilization）超过90%，并有助于实现晶体管的大幅微缩，让芯片设计公司能够提升产品性能和能效。

英特尔将在于6月11日至16日在日本京都举行的VLSI研讨会上通过两篇论文展示相关研究成果。

作为大幅领先竞争对手的背面供电解决方案，PowerVia让包含英特尔代工服务（IFS）客户在内的芯片设计公司能更快地实现产品能效和性能的提升。长期以来，英特尔始终致力于推出对行业具有关键意义的创新技术，如应变硅（strained silicon）、高K金属栅极（Hi-K metalgate）和FinFET晶体管，以继续推进摩尔定律。随着PowerVia和RibbonFET全环绕栅极技术在2024年的推出，英特尔在芯片设计和制程技术创新方面将继续处于行业领先地位。